行业在我国的发展历程。LED（Light Emitting Diode）即发光二极管，其两端加上正向电压时，半导体中的载流子复合，见光。
1.2.1 LED的诞生
它利用固体半导体芯片作为发光材料，当放出过剩的能量，引起光子发射，产生可应用半导体PN结发光源制成的LED，问世于20世纪60年代初，1964年红色发光二极管首先研发成功，黄色LED随之出现。
全球款商用发光二极管( LED)是在1965年用锗材料作成的，其单价为45美元。随后不久，Monsanto和惠普公司陆续推出了用GaAsP材料制作的商用化LED。这些早期的红色LED每瓦大约能提供O。l流明(lm)的输出光通量，比一般60～100W白炽灯的151m低得多。
1.2.2 LED的发展
1968年，LED的研发取得了突破性进展，利用氮掺杂工艺，使发光二极管的效率达到了llm/W，并且能够发出红光、橙光和黄色光。到1971年，业界又推出了具有相同效率的GaP绿色裸片LED。
1972年开始有少量LED电子屏用于钟表和计算器。全球首款采用LED的手表，初还是在昂贵的珠宝商店出售的，其售价竟然高达2 100美元。几乎与此同时，惠普与德州仪器公司推出了带7段红色LED显示屏的计算器。
20世纪70年代，由于LED器件在家庭与办公设备中的大量应用，LED的价格直线下跌。事实上，LED在那个时代主推的是数字与文字显示技术。然而，在许多商用设备中，全彩LED显示屏也逐渐受到来自其他显示技术的激烈竞争，如液晶、等离子体和真空荧光管显示器。这种竞争性激励着LED制造商进一步拓展他们的产品类型，并积极寻求LED具有明显竞争优势的应用领域。此后，LED开始应用于文字点阵显示器、背景图案用的灯栅和条线图阵列。数字显示屏的尺寸和复杂度在不断增长，从2位数字到3位甚至4位，从7段数字到能够显示复杂的文字与图案组合的14段或16段阵列。1980年，制造商开始提供智能化的点阵LED室内屏。
20世纪80年代早期的重大技术突破是开发出AIGaAs LED，它能以1Olm/W的发光效率发出红光。这一技术进步使LED能够应用于室外运动信息发布以及在汽车中央高位安装停止灯( CHMSL)设备。1990年，业界又出现了能够提供相当于好的红色器件性能的AlInGaP技术，这比当时标准的GaAsP器件的性能要高出10倍。
今天，亮的材料是透明基底AlInGaP。在1991年至2001年期间，材料技术、裸片尺寸和外形方面的进一步发展，使商用化LED的光通量提高了将近20倍。
1.2.3产品的升级换代
对高强度蓝光LED的不断研发，产生了好几代亮度越来越高的器件。1990年左右推出的基于碳化硅( SiC)裸片材料的LED，其效率大约是0.041m/W，发光强度很少有超过15毫坎(mcd)的。20世纪90年代中期的技术突破，实现了个基于GaN的实用型LED。现在还有许多公司在用不同的基底（如蓝宝石和SiC）生产GaN LED，这些LED能够发出绿光、蓝光或紫罗兰光等。高亮蓝色LED的出现使真彩LED户外广告屏的实现成为可能，这样的显示屏能够显示真彩，展示全运动的视频图像。
采用蓝光LED技术，人们能够利用倒行转换的磷光材料将较高能量的蓝光部分地转换成其他颜色。如将蓝光与转换磷的黄光整合在一起就能得到白光，而整合适当数量的蓝光与红橙磷( Reddish Orange Phospher)，则可产生略带桃色或紫色的色彩。现在仅用LED光源就能完全覆盖CIE色度曲线中的所有饱和颜色，并且各种颜色LED与磷的有机整合几乎能够毫无限制地产生任何颜色。
近10年，高亮度化、全色化一直是LED材料和器件工艺技术研究的前沿课题。超高亮度(UHB) LED是指发光强度达到或超过OOmcd的LED，又称坎德拉(cd)级LED。高亮度AIGaInP和InGaN LED的研制进展十分迅速，现已达到常规材料GaAIAs、GaAsP、GaP不可能达到的性能水平。1991年日本东芝公司和美国惠普公司研制出InGaAIP 620nm橙色超高亮度LED，1992年InGaAIP 590rrrn黄色超高亮度LED进入实用化。同年，东芝公司研制出了InGaAIP 573nm黄绿色超高亮度LED，法向光强达2cd。1994年日本日亚公司研制成InGaN 450nm蓝（绿）色超高亮度LED。至此，彩色显示所需的三基色红、绿、蓝以及橙、黄多种颜色的LED都达到了坎德拉级的发光强度，实现了超高亮度化、全色化，使发光管的户外全色显示成为现实。
1.2.4 我国LED的技术进展
我国发展LED起步于20世纪70年代，产业出现于20世纪80年代。当时，全国有100多家企业，95%的厂家都从事后道封装生产，所需管芯几乎全部从国外进口。通过几个“五年计划”的技术改造、技术攻关以及引进国外先进设备或部分关键技术，今天我国LED的生产技术已向前跨进了一步。
有关资料显示，我国已成为世界大照明电器生产国和出口国，2006年中国照明行业产值约1600亿元，出口额为100亿美元。面对于载难逢的历史机遇，发展中国的半导体照明新兴产业已经时不我待。2003年6月，科技部联合信息产业部、教育部、建设部、中国科学院、轻工业联合会等部门和单位，成立了国家半导体照明工程协调领导小组，紧急启动了国家半导体照明工程。经过“十五”期间工程的组织与实施，功率型芯片和功率型白光封装技术已达到国际产业化先进水平，发光功率和发光效率分别达到189mW和471m/W，改变了过去蓝光芯片主要依赖进口的不利局面，包括LED车灯、矿灯等四大类140多个新产品陆续开发成功，大部分已实现了批量生产。2006年国产芯片市场占有率达44%，2001～2006年LED市场销售额增长率为48%，2006年LED封装产值达146亿元。现在已经形成了从外延片生产、芯片制备、器件封装到集成应用的比较完整的研发体系。预计2010年我国半导体照明及相关产业的产值将达到1000亿元。
2006年年初，国务院发布了《国家中长期科学和技术发展规划纲要》，“高效节节能、长寿命的半导体照明产品”被列入中长期规划重点领域（能源）的优先主题（工业节能），在国内外引起广泛关注。2006年10月，国家“十一五”863计划“半导体照明工程”重大项目正式启动。至此，我国半导体照明产业进入了自主创新、实现跨越式发展的重大历史机遇期。
1.2.5 国家半导体照明工程的目标
国家半导体照明工程的目标是：
①重点围绕半导体普通白光照明的目标，强调创新性，突破白光照明技术的部分核心专利，实现重点跨越。
②强化技术集成，围绕重大战略产品，产学研上下游联合攻关，解决制约产业发展的共性关键技术。
③实施产业技术联盟与人才培养、基地建设战略，建立完善的技术创新体系与特色产业集群，提升产业持续创新的能力，终形成有自主知识产权和中国特色的半导体照明新兴产业。以上就是LED屏厂家介绍的新疆led显示屏安装相关知识，希望大家能记住，在日后的使用中有所帮助，如果还有其它问题欢迎来电咨询，我们将期待您的光临！