反应烧结和重结晶烧结
反应烧结
反应烧结法制备碳化硅工艺是在碳化硅粉料中预混入适量含碳物质，利用高温使碳与碳化硅粉料中残余硅反应合成新的碳化硅，从而形成致密结构的碳化硅陶瓷。
反应烧结工艺具有烧结温度低、烧结时间短，近净尺寸成型等优点，是一种制备大尺寸，形状复杂的碳化硅陶瓷制品的最有效的方法。但反应烧结容易出现烧结产品密度不均匀、烧结产品易开裂以及烧结过程中渗硅不充分等问题，且此烧结工艺对原料要求高，能耗大，生产成本大。
重结晶烧结
重结晶SiC陶瓷材料是不同粒径的SiC颗粒以一定比列级配后成型为素坯，素坯中细颗粒可均匀分布于粗颗粒之间的孔隙中，然后在2100℃以上的高温及一定流量的保护气氛下，SiC细颗粒逐渐蒸发后在粗颗粒接触点处凝聚淀析，直到细颗粒完全消失。这种蒸发-凝聚机理作用的结果，使得在颗粒的颈部形成新的晶界，从而造成细颗粒被迁移，形成大颗粒之间的连桥结构及具有一定气孔率的烧结体。
这种陶瓷材料尽管存在明显的颈部生长过程，但不产生收缩。结果产品的密度在烧结过程中基本无变化，所以其强度相对低一些。但其优点是陶瓷材料在烧结过程中不需要任何烧结助剂，烧结体为单一SiC晶相，材料的抗氧化性能极佳，同时，该烧结工艺能生产高精度尺寸、无变形的大型产品。详情请登录