[摘要]IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。产品资料及价格:*** *** 翁小姐
2MBI1000VXB-170E-50产品资料及价格:*** *** 翁小姐
配置 串行
最大连续集电极电流 1 kA
最大集电极-发射极电压 1700 V
最大栅极发射极电压 ±20V
通道类型 N
安装类型 螺丝安装
封装类型 M272
引脚数目 6
最大功率耗散 6.25 kW
尺寸 250 x 89 x 38mm
高度 38mm
长度 250mm
宽度 89mm
,2 个装,Fuji Electric
V - 系列,第 6 代现场挡块
U/U4 系列,第 5 代现场挡块
S - 系列,第 4 代 NPT
IGBT 分立件和模块,Fuji Electric
绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。