[摘要]离子镀(ion plating)使用蒸发方法提供沉积用的物质源，同时在沉积前和沉积中采甩高 能量的离子束对薄膜进行溅射处理。由于在这一技术中同时采用了蒸发和溅射两种手段，因 而在装置的设计上需要将提供溅射功能的等离子体部分与产生物质蒸发的热蒸发部分分隔开 来。
离子镀
离子镀(ion plating)使用蒸发方法提供沉积用的物质源，同时在沉积前和沉积中采甩高 能量的离子束对薄膜进行溅射处理。由于在这一技术中同时采用了蒸发和溅射两种手段，因 而在装置的设计上需要将提供溅射功能的等离子体部分与产生物质蒸发的热蒸发部分分隔开 来。
在沉积开始之前，先在2〜5 kV的负偏压下对衬底进行离子轰击，其作用是对衬底表面 进行清理，清除其表面的污染物。紧接着，在不间断离子轰击的情况下开始蒸发沉积过程，但 要保证离子轰击产生的溅射速度低于蒸发造成的沉积速度。在沉积层初步形成之后，溅射可 以持续下去，但也可以停止离子的轰击和溅射。
离子镀的主要优点在于它所制备的薄膜与衬底之间具有良好的附着力，并使薄膜结构致 密。离子镀的另一个优点是它可以提高薄膜对于复杂外形表面的覆盖能力。
离子镀主要的应用领域是制备钢及其他金属材料的硬质涂层，比如各种工具耐磨涂层中 广泛使用的TiNXrN等。在制备这些涂层的反应离子镀（Reactive Ion Plating，简称RIP)中， 电子束蒸发形成的Ti、Cr原子束在Ar-N2等离子体的轰击下反应形成TiN或CrN涂层。这 一技术被广泛用来制备氮化物、氧化物以及碳化物涂层。
化学气相沉积
化学气相沉积是指单独或综合利用热能、辉光放电等离子体、紫外光照射、激光照射等能 源，使气态物质在固体热表面上发生化学反应并在该表面上沉积，从而形成稳定的固态物 质膜。
化学气相沉积的基本原理是建立在化学反应的基础上，习惯上把反应物是气体而生成物 之一是固体的反应称为化学气相沉积反应。
化学气相沉积法制备薄膜的过程，可以分为以下几个主要阶段：
①反应气体向基片表面扩散;
②反应气体吸附于基片表面；
③在基片表面上发生化学反应；
④在基片表面上产生的气相副产物脱离表面而扩散掉或被真空泵抽走，从而在基片表面 留下不挥发的固体反应产物_薄膜。
化学气相沉积具有如下优点：
①既可以制作金属薄膜、非金属薄膜，又可按要求制作多成分的合金薄膜，还能制作组成 和结构复杂的晶体，同时能制取用其他方法难以得到的优质薄膜，如GaN，BP等。
②成膜速度可以很快，每分钟可达几个微米甚至达到数百微米。同一炉中可放置大量的 基板或工件，能同时制得均匀的镀层。
③化学气相沉积反应在常压或低真空进行。镀膜的绕射性好，对于形状复杂的表面或工 件的深孔、细孔都能均勻镀覆，在这方面比物理气相沉积优越得多。
④能得到纯度高、致密性好、残余应力小、结晶良好的薄膜镀层。
⑤CVD法可获得平滑的沉积表面。
⑥辐射损伤低。这是制造半导体器件等不可缺少的条件。
化学气相沉积的主要缺点是：反应温度太高，一般要在1 000 °C左右，使许多基体材料都 耐受不住化学气相沉积的高温，因此限制了它的应用范围。
常用的化学气相沉积方法有高温和低温化学气相沉积法、低压化学气相沉积法、等离子体 增强化学气相沉积等。