据昆明家用监控设备、昆明监控设备昆明鼎智科技有限公司了解，2008年8月18日，美国IBM公司、AMD以及纽约州立大学Albany分校的纳米科学与工程学院（CNSE）等机构共同宣布，世界上首个22纳米节点有效静态随机存储器（SRAM）研制成功。
新的研究工作是在纽约州立大学Albany分校的纳米科学与工程学院（CNSE）完成的，IBM及其他伙伴的许多顶尖的半导体研究都在这里进行。IBM科技研发部副总裁***博士称，“我们正在可能性的终极边缘进行研究，朝着先进的下一代半导体技术前进。新的研究成果对于不断驱动微电子设备小型化的追求，可以说至关重要。”22纳米是芯片制造的下两代，而下一代是32纳米。
在这方面，IBM及合作伙伴正在发展它们无与伦比的32纳米高K金属栅极工艺（high-Kmetalgatetechnology）。从传统上而言，SRAM芯片通过缩小基本构建单元，来制造得更加紧密。IBM联盟的研究人员优化了SRAM单元的设计和电路图，从而提升了稳定性，此外，为了制造新型SRAM单元，他们还开发出几种新的制作工艺流程。研究人员利用高NA浸没式光刻（high-NAimmersionlithography）技术刻出了模式维度和密度，并且在先进的300毫米半导体研究环境中制作了相关部件。
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