昆明冶研高效填料精馏尽显硅材料生产新水平

昆明冶研高效填料精馏尽显硅材料生产新水平

      昆明冶研新材料股份有限公司通过对国外引进的改良西门子法生产工艺进行集成创新，突破高效填料精馏、还原炉高压击穿等技术，建立了全流程工艺模拟，掌握了生产过程中杂质分布规律，依托已建成的3000吨/年多晶硅主体生产线，近70%的产能可生产电子级多晶硅，产品经美国Evans Analytical Group、国家有色金属及电子材料分析测试中心、信息产业部专用材料质量监督检验中心检测和用户试用，达到电子级多晶硅产品质量要求，部分关键指标如硼等杂质含量优于国内外同类产品，成为国内少数能够提供电子级多晶硅材料产品的生产企业。

      装好料后，再对炉内进行一遍检查，即可开炉。一般来说，要先对炉子进行抽真空。真空泵逐级打开后，开始通电加温。抽真空的过程虽然很简单，通常是先打开初级泵（机械、旋片或滑阀泵），从大气抽到2000 Pa以下后，然后再打开罗茨泵，抽真空到10 Pa左右；对于经过清洗的洁净块料，抽真空的顺序只要按照上述步骤进行即可。大约在真空度小于1000 Pa时，就可以打开加热电源。对于RDS4.0型的炉体，由于采用底部和顶部加热方式，情形会好一些，但如果功率过大，也同样会在坩埚底部发生温度过高的情形，只不过，由于顶部和底部都有红外测温，因此，温度不会过高。但如果红外堵塞或者失控，那么，温度过高的危险性也是同样存在的。
       无论是哪种炉型，加热体都在外面，因此，硅料内部和外部的温差是始终存在的，这就是为什么在升温一段时间，要进行一下保温，目的是让外部的热传到里面去，避免内外温差过大，导致熔化时容易出现意外。这就是为什么在熔硅的过程中，加热曲线上会有保温的过程。